发明名称 积体半导体储存装置及其操作方法
摘要 一种积体半导体电路储存装置包括有一储存器指定位置 (1) ,在该储存器指定位置 (1) 内装设有一个写入中间储存器 (10) ,一个写入指示器 (11) 及一个输入缓冲暂存器 (13) ,而在该储存器指定位置 (1) 内亦装设有一个读出中间储存器 (20) ,一个读出指示器 (21) 及一个输出缓冲暂存器 (23) ,此外,亦装设有一个控制装置 (2) ,该控制装置系由一个储存器控制电路 (3) 及一个数据通路控制电路 (4) 所构成。在读出中间储存器 (20) 上装设有一可控制读出指示器 (21) 之读出直列地址译码器 (22) ,该译码器则经由一个读出地址控制单元(24) 而与一个读出地址记录器 (25) 相连接。而在写入中间储存器 (10) 上装设有一可控制写入指定器 (11) 之写入直到地址控制译码器 (12) ,该译码器则经由一个写入地址控制单元 (14)而与一个写入地址记录器 (15)相连接。在储存控制电路(3) 内或在储存器指定位置 (1) 内设有一个横行地址译码器 (8) ,该译码器则受读出地址控制单元 (24) 及写入地址控制单元
申请公布号 TW226468 申请公布日期 1994.07.11
申请号 TW082104174 申请日期 1993.05.26
申请人 西门斯股份有限公司 发明人 威斯诺伯特;梅尔威利巴尔德
分类号 G11C11/407;G11C15/04 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人 郑自添 台北巿敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1﹒一种积体半导体电路储存装置,其中,该 储存装置包括有一个由横行及直列编组而 成之储存器指定位置(1);在该储存器指 定位置(1)内装设有一个写入中间存储器(10),使能 将写入之各数据产生串行/并 行之转换,在该写入中间储存器上则装设 有一个写入指示器(11)及一个输入缓冲暂 存器(13) ;而在该储存器指定位置(1)内 亦装设有一个读出中间储存器(20),使能 将读出之各数据产生并行/串行之转换, 在该读出中间储存器上亦装设有一个读出 指示器(21)及一个输出缓冲暂存器(23) ; 此外,亦装设有一个控制装置(2),该控 制装置系由一个储存控制电路(3)及一个 数据通路控制电路(4)所构成,一方面可 控制在储存器指定位置(1)及写入中间储 存器(10)之间以及另一面在储存器指定位 置(1)及读出中间储存器(20)间之数据流 ,其特征为在读出中间储存器(20)上面装 设有一个可控制订出指示器(21)之读出直 列地址译码器(22),该译码器则经由一个 读出地址控制单元(24)而与一个读出地址 记录器(25)相连接,此外,在储存器控制 电路(3)内或在储存器指定位置(1)内装 设有一个横行地址译码器(8),该译码器 则受到读出地址控制单元(24)之控制。 2﹒一种积体半导体电路储存装置,其中,该 储存装置包括有一个由横行及直列编组而 成之储存器指定位置(1);在该储存器指 定位置(1)内装设有一个写入中间存储器(10),使能 将写入之各数据产生串行/并 行之转换,在该写入中间储存器上则装设 有一个写入指示器(11)及一个输入缓冲暂 存器(13);而在该储存器指定位置(1)内 亦装设有一个读出中间储存器(20) ,使能 将读出之各数据产生并行/串行之转换, 在该读出中间储存器上亦装设有一个读出 指示器(21)及一个输出缓冲寄存器(23) ; 此外,亦装设有一个控制装置(2),该控 制装置系由一个储存控制电路(3)及一个 数据通路控制电路(4)所构成,一方面可 控制在储存器指定位置(1)及写入中间储 存器(l0)之间以及另一方面在储存器指定 位置(1)及读出中间储存器(20)间之数据 流,其特征为在写入中间储存器(10)上面 装设有一个可控制写入指示器(11)之写入 直列地址译码器(12),该译码器则经由一 个写入地址控制单元(14)而与一个写入地 址记录器(15)相连接,此外,在储存器控 制电路(3)内或在储存器指定位置(1)内 装设有一个横行地址译码器(8),该译码 器则受到写入地址控制单元(14)之控制。 3﹒如申请专利范围第1项之积体半导体电路 储存装置,其中,在写入中间储存器(10) 上面装设有一个能控制写入指示器(11)之 写入直列地址译码器(12),该译码器则经 由一个写入地址控制单元(14)而与一个写 入地址记录器(15)相连接,而且,横行地 址译码器 (8)亦受到写入地址控制单元(14)之控制 。 4﹒如申请专利范围第2或第3项中任一项之 积体半导体电路储存装置,其中,在写入 中间储存器(10)上面装设有一个掩蔽数据 记录器(28),该记录器则受到写入地址控 制信号(WAE)之控制。 5﹒一种积体半导体电路储存装置之操作方法 ,系如申请专利范围第1,第2或第3项 中任一项之积体半导体电路存储装置之操 作方法,该方法具有以下之操作步骤: 一在一个写入及/或订出控制信号(WAE, RAE)之作用状态期间可藉一个写入及/ 或读出定时信号(SWCK,SRCK)之助将 一个写入及/或读出地址信号(WAD RAD)之位元(A1)用作写入及/或读出 地址被读入写入及/或读出地址记录器 (15,25)内, ─首先在一个最短时间(tmin)之后并于写 入及/或读出控制信号(WAE,RAE)转换 为非作用状态之后,一个写入及/或读 出再置信号(RSTW,RSTR)变为活化, ─于写入及/或读出再置信号 (RSTW RSTR) 活化之后,则在一个设有事先巳 写入之写入及/或读出地址之储存器指 定位置内将输入及/或输出数据(DIN DOUT)写入该位置及/或从该位置内读 出, ─在数据写入及/或读出过程中,写入及 /或读出控制信号(WAE,RAE)可重新活 化,而且,可将一个新地址读入, ─当写入及/或订出控制信号(WAE,RAE) 重新被活化时,则可利用一个接替之活 化写入及/或读出再置信号(RSTW, RSTR)将一个已更新之数据写入及或读 出过程解决, ─当写入及/或订出控制信号(WAE,RAE) 尚未活化时,则在事先已读入之地址可 继续增量(increment),而与一个更新 之写入及/或读出再置信号 (RSTW RSTR)无关。 6﹒如申请专利范围第5项之积体半导体电路 储存装置之操作方法,该方法亦包括有以 下之操作步骤: 一在写入控制信号(WAE)之活化状态下, 方可将一掩蔽数据信号(MAD)读入一个 掩蔽数据记录器(28)内。
地址 德国