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<P>On décrit un procédé utilisé à titre de sources d'électrons pour divers éléments d'affichage, des sources lumineuses, des dispositifs de commutation à grande vitesse et des microcapteurs. Dans ce procédé, la pointe de l'émetteur (37), c'est-à-dire la zone d'émission des électrons, est formée par une matière à base de siliciure ayant un point de fusion élevé et une faible fonction de travail, et la matière à base de siliciure est formée à distance prédéterminée d'un film d'oxyde. De la sorte, la caractéristique d'émission de l'émetteur (37) est efficacement renforcée et les courants de fuite sont réduits en raison de l'absence de contamination métallique dans les couches isolantes (32, 33, 34).</P>
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