MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE,申请号JP19920339934-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号	JPH06188247(A)	申请公布日期	1994.07.08
申请号	JP19920339934	申请日期	1992.12.21
申请人	SHARP CORP	发明人	ONO ATSUSHI
分类号	H01L21/288;C25D7/12;H01L21/321;H01L21/60;(IPC1-7):H01L21/321	主分类号	H01L21/288
代理机构		代理人
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