MOS-Speicherzelle mit einem exponentiellen Dotierungsprofil und mit versetztem Tunneloxid des schwebenden Gates.
摘要
申请公布号
DE69009221(D1)
申请公布日期
1994.07.07
申请号
DE19906009221
申请日期
1990.02.14
申请人
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SANTA CLARA, CALIF.
发明人
ARONOWITZ, SHELDON, SAN JOSE, CA 95127;FORSYTHE, DONALD D., PALO ALTO, CA 95010;WALKER, GEORGE P., CAPITOLA, CA 95010;GADEPALLY, BAHSKAR V.S., SAN JOSE, CA 95129
