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SE PRODUCE UN INTERRUPTOR MOS BIDIRECCIONAL EN UNA CAPA SEMICONDUCTORA (2) (POR EJEMPLO, SILICE) DISPUESTA SOBRE UNA BASE AISLANTE (1) (POR EJEMPLO ZAFIRO). EL INTERRUPTOR TIENE DOS PARTES DE CONTACTO PRINCIPALES IMPURIFICADAS (3A,3B). ENTRE ESTAS REGIONES EL INTERRUPTOR TIENE UNA PARTE ABSORBENTE DE VOLTAJE QUE CONSTA DE UNA PACA DEBILMENTE IMPURIFICADA (5), SITUADA CERCA DE LA SUPERFICIE DE LA CAPA SEMICONDUCTORA, QUE TIENE EL MISMO TIPO DE CONDUCTIVIDAD QUE LAS PARTES DE CONTACTO PRINCIPALES, Y UNA CAPA DEBILMENTE IMPURIFICADA (4) SITUADA CERCA DE LA BASE, DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO. ENTRE CADA UNA DE LAS ZONAS DE CONTACTO (3A,3B) Y LA CAPA DEBILEMNTE IMPURIFICADA (5) SITUADAS CERCA DE LA SUPERFICIE, SE HALLAN DISPUESTAS NORMALMENTE UNAS ESTRUCTURAS MOS NO CONDUCTORAS. CONTROLANDO SIMULTANEAMENTE LAS DOS ESTRUCTURAS MOS HACIA UN ESTADO CONDUCTOR, EL INTERRUPTOR SE HACE CONDUCTOR Y PUEDE LLEVAR CORRIENTE HACIA UNA DIRECCION OPCIONAL ENTRE LOS CONTACTOS PRINCIPALES.
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