| 摘要 |
<P>Pour améliorer la résistance au déverrouillage d'un dispositif à semiconducteurs à grille isolée tout en maintenant la tension de seuil de grille à une valeur constante, un bord (T2) d'une ouverture destinée à l'introduction d'une impureté de type n pour la formation d'une région de source de type n+ (3), est fixé dans une position qui est en retrait d'une distance déterminée, vers une région de formation de canal (CH), par rapport à un bord (T1) d'une ouverture destinée à l'introduction d'ujne impureté de type p, pour la formation d'une région de semiconducteur de type p (2). La région de source de type n+ (3) est donc formée de façon à traverser des surfaces (2a à 2d) d'égale concentration en impureté de type p, en direction d'une partie de bord (ED) de la région de semiconducteur de type p (2). Il en résulte que dans la région de semiconducteur de type p, la concentration en impureté de type p est relativement faible dans la région de formation de canal (CH) et relativement élevée immédiatement au-dessous de la région de source de type n+ (3).</P> |
