DISPOSICION DE TRANSISTORES DE ALTA TENSION CON TECNOLOGIA CMOS.

摘要

PARA ALCANZAR UNA FUERZA DIELECTRICA MAYOR DE 20 VOLTIOS, LOS MONTAJES CONOCIDOS DE TRANSISTORES DE ALTA TENSION PRODUCIDOS MEDIANTE TECNOLOGIA DMOS (MOS DE DOBLE DIFUSION), EN LA CUAL SE PRODUCEN AREAS DE DESVIACION ALREDEDOR DE BIEN EL AREA DE FUENTE Y EL AREA DE DRENAJE MEDIANTE LA DIFUSION EN DOS ETAPAS DE LOS ATOMOS DE IMPURIFICACION. ESTA TECNOLOGIA VINCULA LOS PASOS DE PROCESAMIENTO ADICIONALES DURANTE LA FABRICACION. DE ACUERDO CON LA INVENCION, SOLAMENTE LA ZONA DE DESGUE ESTA RODEADA POR UN AREA DE DESVIACION, MIENTRAS QUE LA ZONA FUENTE ESTA EMPOTRADA DIRECTAMENTE EN EL SUBSTRATO SEMICONDUCTOR. LOS TRANSISTORES DE ALTA TENSION PUEDEN POR LO TANTO OBTENERSE UTILIZANDO SOLAMENTE LOS PASOS DE PROCESO DE LA TECNOLOGIA ESTANDAR CMOS SIN PASOS DE PROCESAMIENTO ADICIONALES. DICHOS MONTAJES DE TRANSISTOR DE ALTA TENSION TENIENDO UNA FUERZA DIELECTRICA MAYOR DE 50 VOLTS, Y EN ESPECIAL REALIZACIONES MAYORES DE 100 VOLTS, SON PARTICULARMENTE APROPIADOS PARA SU UTILIZACION EN LAS INSTALACIONES INDUSTRIALES DE LA INDUSTRIA DEL AUTOMOVIL.