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Ce procédé comprend les étapes suivantes: a) - réalisation d'un film (32) de silicium monocristallin conducteur sur un substrat (8) en silicium et séparé de ce dernier par une couche isolante (28) b) - gravure du film de silicium (32) et de la couche isolante (28) jusqu'au substrat (8) pour fixer la forme des éléments mobiles (2, 6) et des moyens de mesure (12, 20, 16); c) - réalisation de contacts électriques (24, 26) pour les moyens de mesure; d) - élimination partielle de la couche isolante (32) pour dégager les éléments mobiles (2, 6), le restant de la couche isolante (28) rendant les éléments mobiles et le substrat solidaires.
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