发明名称 Method for depositing high quality silicon dioxide by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD).
摘要
申请公布号 EP0428839(B1) 申请公布日期 1994.06.29
申请号 EP19900116835 申请日期 1990.09.03
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BATEY, JOHN;TIERNEY, ELAINE
分类号 H01L21/316;C23C16/40;(IPC1-7):C23C16/40 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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