| 发明名称 | 电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固)材料制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于单晶材料的制备方法，其工艺方法是单晶浮区熔化的熔池内施加电磁场，电磁场为直流电产生的恒稳磁场或交流电产生的交变磁场，料棒送进速度和提拉速度(晶体生长速度)连续可调，料棒和单晶体在磁场中作轴向旋转，采用稳定的机械装置提拉出单晶。优点是：有效的克服了对已有各种浮区熔化晶体生产造成的缺陷——重力对流、温差热对流和表面张力对流对晶体生长所造成的破坏。 | ||
| 申请公布号 | CN1088634A | 申请公布日期 | 1994.06.29 |
| 申请号 | CN92112228.4 | 申请日期 | 1992.12.19 |
| 申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 葛云龙;杨院生;焦育宁;刘清民;刘传胜;胡壮麒 |
| 分类号 | C30B15/00 | 主分类号 | C30B15/00 |
| 代理机构 | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人 | 朱光林 |
| 主权项 | 1、一种电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固)材料制备方法，其特征在于在单晶浮区熔化的熔池内施加电磁场，具体以激光加热基座生长法为例，用2支30瓦二氧化碳连续激光器为热源，料棒送进与提拉装置为一稳定机构系统，送进速度为0.5mm～5mm/小时，提拉速度晶体生长速度和送进速度连续可调。 | ||
| 地址 | 110015辽宁省沈阳市文化路72号 | ||