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发明名称 HETEROEPITAXIAL GROWTH OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ON SI SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH06181174(A) 申请公布日期 1994.06.28
申请号 JP19910079864 申请日期 1991.04.12
申请人 NEC CORP 发明人 KURODA NAOTAKA
分类号 H01L21/20;H01L21/203;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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