| 发明名称 |
SELECTIVE GROWTH METHOD FOR SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06177044(A) |
申请公布日期 |
1994.06.24 |
| 申请号 |
JP19920345592 |
申请日期 |
1992.12.01 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
KOBAYASHI TAKASHI;IDA MINORU |
| 分类号 |
H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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