发明名称 INTEGRATED CMOS SEMICONDUCTOR CIRCUIT.
摘要 Circuit intégré à semi-conducteurs obtenu selon la technique CMOS, destiné à réduire la consommation d'énergie, dans lequel au moins une paire de transistors présente un fonctionnement stable avec différentes tensions d'alimentation par le fait que chaque tension d'alimentation comporte un seuil de tension qui lui est associé et qui peut être réglé par la tension de polarisation du puits et par la tension de polarisation du substrat. Le substrat de la paire de transistors est relié à un circuit générateur de tension de polarisation du substrat et le puits à un circuit générateur de tension de polarisation du puits qui règle, en fonction d'un signal d'entée représentant le niveau de la tension d'alimentation, la tension de polarisation correspondant au niveau de la tension d'alimentation pour adapter le seuil de tension à chaque tension d'alimentation de manière à toujours assurer, un fonctionnement stable de la paire de transistors. Un système de traitement des données associé au circuit intégré à semi-conducteurs, système qui fonctionne par exemple avec une tension d'alimentation de 3,6 V, une fréquence d'horloge de 66 MHz et une consommation d'énergie relative de 1, atteint, après un passage à une tension d'alimentation de 1,2 V et à une fréquence d'horloge inférieure à 5 MHz, une consommation d'énergie relative inférieure à 0,01 et une augmentation d'un facteur 100 environ de la vie utile pour un PC alimenté par batterie.
申请公布号 EP0602197(A1) 申请公布日期 1994.06.22
申请号 EP19930909782 申请日期 1993.05.21
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 KOETZLE, GUNTHER;KREUTER, VOLKER;LUDWIG, THOMAS;SCHETTLER, HELMUT
分类号 G05F3/20;H01L27/02;(IPC1-7):H01L27/02 主分类号 G05F3/20
代理机构 代理人
主权项
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