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发明名称 High-frequency bipolar transistor and its fabrication method.
摘要
申请公布号 EP0300803(B1) 申请公布日期 1994.06.22
申请号 EP19880306729 申请日期 1988.07.22
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. 发明人 OTA, YORITO;INADA, MASANORI;YANAGIHARA, MANABU
分类号 H01L21/331;H01L29/10;H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/06;H01L29/73 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
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