发明名称 Procédé de production d'un transistor à effet de champ et masque de transfert d'un motif à y utiliser.
摘要 <P>L'invention concerne un masque de transfert d'un motif à utiliser dans un procédé d'exposition optique. <BR/> Selon l'invention, il comprend un substrat transparent (6) ayant une surface, un film de protection de la lumière d'un motif souhaité (7a) disposé sur la surface du substrat transparent (6), pour protéger une partie du film en vernis photosensible de la lumière transmise à travers le masque et incidente sur le film et transférer le motif souhaité à ce film et un certain nombre de protubérances (7b) disposées à des intervalles égaux de chaque côté du motif du film (7a), contactant ce motif, pour réduire l'intensité de la lumière transmise à travers une région du substrat transparent (6) où se trouvent les protubérances (7b). <BR/> L'invention s'applique notamment à la fabrication des transistors à effet de champ.</P>
申请公布号 FR2699327(A1) 申请公布日期 1994.06.17
申请号 FR19930012885 申请日期 1993.10.28
申请人 MITSUBISHI DENKI KK 发明人 NAKATANI MITSUNORI;KOJIMA YOSHIKI;MINAMI HIROYUKI
分类号 H01L29/812;G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/285;H01L21/338 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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