POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PROCESS FOR PRODUCING IT.

摘要

L'invention concerne un semi-conducteur de puissance comportant quatre zones, dans lequel une zone émettrice (EZ) est constituée d'au moins une région émettrice (4) et d'au moins une première partie (5) d'une structure d'aspiration (AS) et avec lequel chaque première partie de la structure d'aspiration est reliée par une liaison électriquement conductrice à une électrode principale (7) par une deuxième partie (6) de la structure d'aspiration (AS). L'invention permet d'éviter par exemple l'amorçage d'un thyristor parasite dans un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) et elle permet également d'obtenir dans les thyristors une caractéristique de sortie du type pentode.