Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法

摘要

一种制作Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，该晶体管包括：一基片、超晶格、缓冲层、量子阱、覆盖层以及欧姆接触层。在欧姆层上形成漏极、源极和栅极。各量子阱均按下述方式形成：用有机金属化学汽相淀积工艺在低反应压力下形成第一GaAs层；然后将Si杂质，如SiH4或Si2H6呈Δ-掺杂掺入层内，再用相同的淀积工艺，在同样条件下形成第二CaAs层，从而形成本发明的CaAs/AlGaAsΔ-掺杂量子阱场效应晶体管。

主权项

1.一种制作Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，包括：依次形成基片、超晶格、缓冲层、量子阱、覆盖层以及欧姆层等各工艺步骤，以及在所述覆盖屋上和在所述欧姆层上，用金属化和剥离工艺形成源极、漏极以及栅极等各工艺步骤，所说的量子阱的形成步骤进一步包括：将三甲基镓和胂引入一反应腔内的步骤；通过使用有机化学汽相淀积工艺形成一个第一GaAs量子阱的步骤；将Si杂质掺入所述第一量子阱的步骤；以及将三甲基镓和胂引入所说的反应腔内，在与形成所述第一量子阱时相同的条件下，形成一个第二量子阱的步骤。