IGBT PROCESS AND DEVICE WITH PLATINUM LIFETIME CONTROL.

摘要

Dans des dispositifs, tels que des transistors à grille isolée (IGBT), des thyristors commandés par MOS ou des dispositifs similaires, le substrat (11) est constitué par des couches P+ (17), N+ (18) et N- (20) et par des diffusions PN, de façon à définir des régions de corps et de source dans la couche N- (20), ainsi qu'un canal de grille MOS (25) à la surface supérieure. La couche N- (20) est dimensionnée et dopée (~1014/cm3), de façon à bloquer la tension de polarisation inverse. La couche N+ (19) possède une épaisseur de >20 mum et est dopée au-dessous de -1017/cm3 mais au-dessus du dopage de N-, de façon à amplifier l'impédance de sortie et à réduire le gain à des conditions de Vce élevées. Ou bien la couche N+ (19) est constituée par une couche mince (~5mum) très dopée ( 1017/cm3) et par une couche épaisse ( 20 mum) à dopage de (~1016/cm3. Du platine à dose de 1013 à 1016/cm3 est implanté ioniquement et diffusé dans le silicium, de façon à effectuer le contrôle de sa durée de vie. Les contacts de grille (30) et de source (28), ainsi que les diffusions de corps et de source présentent une configuration à interdigitation possédant des raccords complémentaires, de façon à minimiser l'accumulation du courant et des bus de grille larges, afin de diminuer le retard du signal.