Etching method for heterostructure of III-V compound material.

摘要

Procédé de gravure d'au moins deux couches de matériaux semiconducteurs, de natures différentes, en vue de réaliser un mésa pour l'autoalignement des métallisations d'un transistor. L'hétérojonction doit comporter une première couche (6) d'un matériau contenant As, qui est gravée par gravure ionique réactive, et une deuxième couche (5) d'un matériau contenant P, qui est gravée chimiquement. Application à la réalisation de transistors verticaux à hétérojonction HBT.