| 发明名称 |
CIRCUIT DE POMPAGE DE CHARGE POUR UN GENERATEUR DE TENSION DE SUBSTRAT DANS UN DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2689340(B1) |
申请公布日期 |
1994.06.10 |
| 申请号 |
FR19920014771 |
申请日期 |
1992.12.08 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
JEON JUN-YOUNG |
| 分类号 |
G11C11/408;G05F3/20;G11C11/4074;H02M3/07;(IPC1-7):H03K3/57;G11C15/04 |
主分类号 |
G11C11/408 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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