| 发明名称 |
FORMATION OF SINGLE-CRYSTAL SILICON LAYER FOR THIN-FILM TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06163590(A) |
申请公布日期 |
1994.06.10 |
| 申请号 |
JP19920336646 |
申请日期 |
1992.11.24 |
| 申请人 |
NISSIN ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
ASAGI NORIO;HAYASHI TSUKASA |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/263;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336;H01L29/784 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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