首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Übergangsgatter.
摘要
申请公布号 DE3886871(T2) 申请公布日期 1994.06.09
申请号 DE19883886871T 申请日期 1988.10.07
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA 发明人 INOUE, KAZUHIKO C/O PATENT DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105
分类号 H01L21/28;H01L21/337;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/808;(IPC1-7):H01L21/28;H01L29/80 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com