发明名称 |
超导薄膜的制作方法 |
摘要 |
本发明是关于一种超导薄膜的制作方法。其特征是将含有从钇(Y)、镧(La)、钆(Gd)、钬(Ho)、铒(Er)、镱(Yb)组成的一组元素中选择的一种元素M、钡和铜氧化物的混合物或者复合氧化物作为靶进行物理汽相淀积,形成钙钛矿型或类钙钛矿型的氧化物薄膜。上述靶可由预烧结材料制成,物理汽相淀积可用高频溅射技术进行。对形成的薄膜,可以进一步在250-1700℃,最好在250-1200℃的温度范围内进行热处理。 |
申请公布号 |
CN1024966C |
申请公布日期 |
1994.06.08 |
申请号 |
CN88102025.7 |
申请日期 |
1988.03.14 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
藤田顺彦;藤森直治;系崎秀夫;田中三郎;原田敬三;上代哲治 |
分类号 |
H01B12/06;H01L39/12 |
主分类号 |
H01B12/06 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
1.一种在基片上制作超导薄膜的方法,其特征在于使用一个由含有Ba和从Y、La、Gd、Ho、Er、Yb和Ce及Cu中选出的一种元素或其氧化化合物制成成靶进行物理汽相淀积以产生钙钛矿型或类钙钛矿型的氧化薄膜,所述物理汽相淀积可以是从溅射,电离镀膜,真空镀膜,离子束镀膜及分子束外延技术中选出的任一种,并且在物理汽相淀积过程中,所述基片的温度被加热到184~1520℃之间。 |
地址 |
日本大阪市 |