| 摘要 |
<p>Es wird eine MOS gesteuerte Diode (1) offenbart, welche eine p<+>- (5) und eine n<->-Schicht (4) sowie eine n<+>-Schicht (9) umfasst. Zwischen der n<->-Schicht (4) und der n<+>-Schicht (9) ist ein p-Gebiet (8), welches die n<+>-Schicht (9) vollständig umgibt, angeordnet. Mittels Anlegen einer Spannung an einer darüber angeordneten, isolierten Gateelektrode kann das p-Gebiet (8) überbrückt werden. Dadurch geht die Diode vom normal sperrenden Zustand in den leitenden über. Mittels kathodenseitigem Randabschluss kann die Diode hochsperrend gemacht werden. Mit einem anodenseitigen Randabschluss (15) erhält man eine rückwärtssperrende Diode, mit anodenseitigen Kurzschlüssen (14) ein rückwärtsleitende Diode. <IMAGE></p> |
