发明名称 制备氧化铁酒敏薄膜的方法
摘要 本发明涉及敏感技术领域,特别是一种制备酒敏薄膜的方法。该方法是用等离子增强型化学气相淀积法制备氧化铁酒敏薄膜,其关键是参加化学气相淀积反应的源物质采用了金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO5]。用此方法制备的氧化铁酒敏薄膜,在1000ppm浓度下的乙醇气体中,灵敏度可达50,而在同样浓度的城市煤气,氢气和液化石油气等杂气气氛下,其灵敏度分别仅有1.4,2.9和6,而且对于酒精的最低检测浓度可达到1ppm以下。具有灵敏度高,选择性好,响应恢复时间快等优点。
申请公布号 CN1024948C 申请公布日期 1994.06.08
申请号 CN90110381.0 申请日期 1990.12.30
申请人 西安电子科技大学 发明人 彭军;严北平;柴常春
分类号 G01N27/12 主分类号 G01N27/12
代理机构 陕西省发明专利服务中心 代理人 王品华
主权项 1.一种制备氧化铁酒敏薄膜的方法,采用等离体增强型化学气相淀积,包括以下步骤:(1)沉积薄膜所用的衬底材料采用高纯氧化铝陶瓷基片,也可用玻璃衬底或附有SiO2层的硅衬底,在该衬底上先制备出叉指状(又称梳状)电极,即采用厚膜工艺将以钯—银浆料为原料的电极印上,室温下平放5~10分钟,再经120℃下烘烤8~10分钟,烘干后送入传送式烧结炉烧结;(2)将带电极的衬底材料放入有机溶剂(乙醇及丙酮)浸泡下超声清洗10~30分钟,然后用去离子水反复冲洗,在100℃左右条件下烘干10分钟备用;(3)以五羰基铁[Fe(CO5)作为源物质,用高纯惰性气体氩气(Ar)或氮气(N2)携带,同时用高纯氧去(O2)一起参加淀积反应,其工艺条件如下:参加化学气相淀积反应的源物质采用金属有机化合物五羰基铁(Fe(CO)5]予真空: 1Pa衬底温度:80~120℃O2流量: 0.3~0.6升/分Ar流量: 1.0~2升/分阳压 1000V阳流 150mA放电频率:13.6MHz调节工艺条件的组合,可使该气敏材料的工作温度处于260℃~280℃或340℃~360,且在玻璃衬底上,或硅、陶瓷衬底上可以获得非晶态α型氧化铁薄膜。
地址 710071陕西省西安市太白路2号