以低臭氧破坏性之有机氯化物热氧化矽物品之方法

摘要

一种热氧化或炉管洁净的方法。此法常被用于半导体制作，需要暴露其矽制品或炉管于高于700℃温度，且需流动一包含氧气及一种具备下列一般化学式的氯烃化合物，CxHxClx，式中x为2，3或4，的载体气体给矽制品或炉管。此氯烃化合物之所以被此发明所选出，是因为它们的迅速完全性的于该温度氧化。

主权项

简示概单统明: 图1t三氯乙烷和氧于摄氏八百废反 应时;相对幅度的对数对原子量单元的作 图。 图2:二氯氧甲烷和氧于摄氏八百度反 应时,相对幅度的对数对原子量单元的作 图。 图3:反二氯氧乙烷.(TDCE)和氧于摄转氏 八百 度反应时.相对幅度的对数对原子量 单元的作图。