利用二步退火制造PN结的技术

摘要

本发明是使P型含氮CZ-Si单晶片经过二个不同的热处理工艺过程生成PN结的技术。让P型含氮CZ-Si单晶片在300—500℃温度下退结的表面位置处，利用各种高温表面瞬时退火技术进行高温表面瞬时退火，使此表面所在区域重新回复原来的P型导电类型，从而在这区域以N型基片的界面处生成一个PN结。利用本技术可以实现不需另外掺入N型杂质，在较低热处理温度下可控地制造各种不同要求的PN结。

主权项

1、一种利用二步退火制造PN结的技术。本发明的特征是首先使P型含氮CZ-Si单晶片在(300-500℃)的温度下退火4-150小时，整体反型成N型基片；然后在此基片预定制造PN结的表面位置，利用高温(800-1100℃)表面瞬时退火，使表面所在区域回复原来的P型导电类型，从而在此区域与N型基片的界面处生成一个PN结。