LASER REFLECTOR BRAGG DISTRIBUIDO PARA SISTEMAS DE COMUNICACIONES CON MODULACION DE FRECUENCIA.

摘要

PARA SUPERAR LOS EFECTOS PERNICIOSOS DE LA RESPUESTA DE MODULACION DE FRECUENCIA EN LASERES SEMICONDUCTORES, DEBIDO A LA INYECCION DE CORRIENTE EN APLICACIONES DE MODULACION DE FRECUENCIA DIRECTA, SE HA DETERMINADO QUE EL FACTOR : DE INCREMENTO DE ANCHURA DE LINEA SE HAGA LO MAYOR POSIBLE. EN UNA REALIZACION, LASERES REFLECTORES BRAGG DISTRIBUIDOS ADECUADOS PARA LOS SISTEMAS DE COMUNICACION DE ONDAS LUMINOSAS POR MODULACION DE FRECUENCIA, ESTAN DISEÑADOS DE MANERA QUE TENGAN UN ELEMENTO DE REALIMENTACION INTEGRADO, TAL COMO UNA REJILLA ONDULADA, CUYO PASO EFECTIVO SE SELECCIONA DE MODO QUE LA LONGITUD DE ONDA DE BRAGG, Y POR LO TANTO LA LONGITUD DE ONDA DE FUNCIONAMIENTO DEL LASER, SEA MAS LARGA QUE LA LONGITUD DE ONDA A SUSTANCIALMENTE LA GANANCIA MAXIMA O CRESTA DE GANANCIA EN LA ESTRUCTURA DEL SEMICONDUCTOR. ES DECIR, LA LONGITUD DE ONDA DE LA REJILLA SE DESINTONIZA EFICAZMENTE HACIA LA LONGITUD DE ONDA MAS LARGA Y EL LADO DE MENOR ENERGIA DE LA CRESTA DEL PERFIL DE GANANCIA. TAL DESINTONIZACION AUMENTA EL FACTOR DE INTENSIFICACION DE LA ANCHURA DE BANDA DE TAL MODO QUE LA RESPUESTA DE MODULACION DE FRECUENCIA NO UNIFORME Y SUS EFECTOS SE REDUCEN AL MINIMO Y EN ALGUNOS CASOS SE ELIMINAN SUSTANCIALMENTE.