| 发明名称 | 真空断路器的触头成型材料及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种真空断路器的触头成形材料，其特征是：其中含有重量百分比20％-60％的Cr，占Cu和Bi总重量的0.05％-1.0％的Bi元素，其余部分实质上为Cu，并形成一个触头形状，然后将所加工的材料进行真空热处理，这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性，而且具有优良的耐压特性。本发明还涉及该材料的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1024860C | 申请公布日期 | 1994.06.01 |
| 申请号 | CN91104551.1 | 申请日期 | 1991.06.07 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 关经世;奥富功;山本敦史;乙部清文;关口薰旦 |
| 分类号 | H01H1/02;H01H11/04 | 主分类号 | H01H1/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
| 主权项 | 1.一种由Cr-Cr-Bi合金制成的真空断路器的触头成形材料，其特征是：该触头成型材料包含重量百分比为20％-60％的Cr和占Cu与Bi总重量的0.05％-1.0％的Bi元素，其余部分质实上为Cu。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||