MOS memory cell with exponentially-profiled doping and offset floating gate tunnel oxidation.,申请号EP19900102847-传众专利搜索

发明名称	MOS memory cell with exponentially-profiled doping and offset floating gate tunnel oxidation.
摘要
申请公布号	EP0384275(B1)	申请公布日期	1994.06.01
申请号	EP19900102847	申请日期	1990.02.14
申请人	NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION	发明人	ARONOWITZ, SHELDON;FORSYTHE, DONALD D.;WALKER, GEORGE P.;GADEPALLY, BAHSKAR V.S.
分类号	H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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