| 摘要 |
Les transistors à effet de champ à jonctions (JFET) décrits par l'invention, possèdent une capacité améliorée de tension de claquage, une résistance à l'état passant réduite, ainsi qu'une capacité améliorée d'attaque excessive. La résistance à l'état passant du JFET (2000) est diminuée par implantation ionique d'une couche isolante (2006A, 2006B, 2006C, 2016D) recouvrant une couche (2002) contenant des zones de source (2005) et de grille (2003, 2004) du transistor unipolaire. Afin d'améliorer la capacité d'attaque excessive d'un JFET (2000), on constitue une zone de conductivité (2015) opposée à la conductivité de la région de grille (2003) dans la région de grille du transistor. La deuxième jonction située dans la région de grille (2003) décrite par l'invention protège la jonction entre la grille et la source contre une polarisation vers l'avant jusqu'à l'application de tensions de grille supérieures et, de ce fait, permet d'améliorer la capacité d'attaque excessive. On utilise un nouveau procédé pour constituer un anneau de protection (2050, 2051) entourant la zone active d'un JFET (2000). Le JFET (2000) fabriqué au moyen de ce procédé possède un anneau de garde (2050, 2051) possédant un deuxième type de conductivité s'étendant sur une première distance D1 dans une couche (2002) possédant un premier type de conductivité, ainsi qu'une région de grille possédant le deuxième type de conductivité et s'étendant sur une deuxième distance D2 dans la couche (2002). |
