| 发明名称 |
Method for fabricating sub-0.1um t-gates for fieldeffect transistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IL108590(D0) |
申请公布日期 |
1994.05.30 |
| 申请号 |
IL19940108590 |
申请日期 |
1994.02.08 |
| 申请人 |
YEDA RESEARCH AND DEVELOPMENT CO. LTD. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/28;H01L;H01L21/027;H01L21/338;H01L29/812;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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