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发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES HAVING GATE ARRAY MEMORY CELL
摘要
申请公布号 KR940004403(B1) 申请公布日期 1994.05.25
申请号 KR19910003155 申请日期 1991.02.27
申请人 TOSHIBA CO., LTD.;TOSHIBA MICROELECTRONICS CO., LTD. 发明人 HARA, HIROYUKI;WATANABE, YOSHINORI
分类号 H01L27/118;G11C7/06;G11C8/16;G11C11/419;H01L21/82;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):G11C11/40 主分类号 H01L27/118
代理机构 代理人
主权项
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