发明名称 |
DISPOSITIF METAL-SEMICONDUCTEUR COMPORTANT UNE JONCTION DE SCHOTTKY ET PROCEDE POUR SA PRODUCTION |
摘要 |
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申请公布号 |
FR2625841(B1) |
申请公布日期 |
1994.05.20 |
申请号 |
FR19890000174 |
申请日期 |
1989.01.09 |
申请人 |
TOSHIBA KK |
发明人 |
KAZUYA NISHIHORI;TOMOTOSHI INOWE;KENICHI TOMITA;HITOSHI MIKAMI;MASAMI NAGAOKA;NAOTAKE UCHITOMI |
分类号 |
H01L29/812;H01L21/338;H01L29/47;H01L29/872;(IPC1-7):H01L29/64;H01L29/00 |
主分类号 |
H01L29/812 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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