| 发明名称 |
SILICA GLASS MEMBER FOR HEAT TREATING SEMICONDUCTOR AND PRODUCTION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06127971(A) |
申请公布日期 |
1994.05.10 |
| 申请号 |
JP19920301629 |
申请日期 |
1992.10.15 |
| 申请人 |
SHINETSU QUARTZ PROD CO LTD |
发明人 |
INAGI KYOICHI |
| 分类号 |
C03C3/04;C03B20/00;C03C4/00;H01L21/22;H01L21/324;(IPC1-7):C03C3/04 |
主分类号 |
C03C3/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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