发明名称 Verfahren zur Epitaxieabscheidung von Silizium.
摘要
申请公布号 DE3888736(D1) 申请公布日期 1994.05.05
申请号 DE19883888736 申请日期 1988.06.21
申请人 ADVANCED SEMICONDUCTOR MATERIALS AMERICA, INC., PHOENIX, ARIZ., US 发明人 GOODWIN, DENNIS LEE, TEMPE, ARIZONA 85282, US;HAWKINS, MARK RICHARD, MESA, ARIZONA 85202, US;JOHNSON, WAYNE L., PHOENIX, ARIZONA 85044, US;OLSEN, AAGE, CHANDLER, ARIZONA 85202, US;ROBINSON, MCDONALD, PARADISE VALLEY, ARIZONA 85253, US
分类号 C30B25/02;C30B25/10;(IPC1-7):C30B25/02;C30B29/06 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
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