发明名称 Verfahren zur Züchtung eines Halbleiterkristalles aus III-V-Gruppen-Verbindung auf einem Si-Substrat.
摘要
申请公布号 DE3884682(T2) 申请公布日期 1994.05.05
申请号 DE19883884682T 申请日期 1988.06.30
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 MATSUMOTO, TAKASHI, MINATO-KU TOKYO, JP
分类号 C30B25/02;(IPC1-7):C30B25/02;C30B29/40;H01L21/20 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
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