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发明名称
Method of manufacturing an insulated-gate semicustom integrated circuit.
摘要
申请公布号
EP0280236(B1)
申请公布日期
1994.05.04
申请号
EP19880102574
申请日期
1988.02.22
申请人
TOSHIBA MICRO-COMPUTER ENGINEERING CORPORATION;KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人
SHIOCHI, MASAZUMI C/O PATENT DIVISION;UGAWA, AKIMITSU
分类号
H01L21/8234;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/088;H01L27/118;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/70
主分类号
H01L21/8234
代理机构
代理人
主权项
地址
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