发明名称 2B族金属之二–烷基化合物之制备方法
摘要 2B族金属之二烷基化合物在下法中制备,其中2B族金属在镁的存在下,和卤化烷反应形成2B族金属和卤化镁之二烷基化合物。含二烷基化合物的产物其卤含量低于1ppm、矽含量低于1ppm且3A族金属含量低于1ppm。
申请公布号 TW223077 申请公布日期 1994.05.01
申请号 TW081108600 申请日期 1992.10.28
申请人 气体产品及化学品股份公司 发明人 吉拉德.保罗.马利亚.凡.米尔;亨利卡斯.皮卓士.柏纳得.杜惠森;柯奈利斯.乔巴斯.史密特
分类号 C07F3/06;C07F3/08 主分类号 C07F3/06
代理机构 代理人 林圣富 台北巿和平东路二段二○三号四楼;陈展俊 台北巿和平东路二段二○三号四楼
主权项 1﹒一种制备2B族金属的二烷基化合物之方法 ,包含在镁和溶剂存在下,于20至170℃ 的温度内,将2B族金属和卤化烷反应以获 得2B族金属和卤化镁约二烷基化合物,其 中镁的量为每当量2B族金属0﹒80至2﹒0当 量镁。 2﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中2B 族金属为锌或镉。 3﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中卤 化烷为砍化院。 4﹒根据申请专利范围第2项之方法,其中卤 化烷为碘化烷。 5﹒根据申请专利范围第1.2.3或4项之 方法,其中卤化烷对2B族金属的比率在 0﹒8:1至4﹒0:1之间。 6﹒一种组合物,包含至少99﹒999%重量百分 比之28族金属的二烷基化合物,卤素低于 1ppm,3A族金属低于1ppm和矽低于1ppm。 7﹒根据申请专利范围第6项之组合物,其包 含0﹒05至0﹒5ppm之卤素。 8﹒根据申请专利范围第1.2.3或4项之 方法,其所制得之二烷基化合物系使用于 金属有机化学蒸镀法(MOCVD)或金属有机 蒸气相单晶技术(MOVPE) 。 9﹒根据申请专利范围第6或7项之组合物, 其保使用于金属有机化学蒸镀法(MOCVD) 或金属有机蒸气相单晶技术(MOVPE)。
地址 美国