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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer monolithischen Hochspannungshalbleiterschaltung.
摘要
申请公布号 DE3788486(T2) 申请公布日期 1994.04.28
申请号 DE19873788486T 申请日期 1987.09.19
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT 发明人 MUSUMECI, SALVATORE, I-95018 RIPOSTO CT, IT;ZAMBRANO, RAFFAELE, I-95037 SAN GIOVANNI LA PUNTA CT, IT
分类号 H01L21/76;H01L21/331;H01L21/74;H01L21/761;H01L21/8222;H01L21/8228;H01L27/06;H01L27/082;H01L29/73;(IPC1-7):H01L21/74;H01L21/82;H01L21/72;H01L29/06 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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