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经营范围
发明名称
MOS-Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung.
摘要
申请公布号
DE3787691(T2)
申请公布日期
1994.04.28
申请号
DE19873787691T
申请日期
1987.07.30
申请人
HITACHI, LTD., TOKIO/TOKYO, JP
发明人
YAZAWA, YOSHIAKI, HITACHI-SHI, JP;WATANABE, ATSUO, HITACHIOTA-SHI, JP;HIRAISHI, ATSUSHI, HITACHI-SHI, JP;MINAMI, MASATAKA, HITACHI-SHI, JP;NAGANO, TAKAHIRO, HITACHI-SHI, JP
分类号
H01L29/10;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/808;(IPC1-7):H01L29/10;H01L29/784
主分类号
H01L29/10
代理机构
代理人
主权项
地址
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