Hochdichter Festwertspeicher in einem CMOS-Gatterfeld.,申请号DE19873787625T-传众专利搜索

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发明名称	Hochdichter Festwertspeicher in einem CMOS-Gatterfeld.
摘要
申请公布号	DE3787625(T2)	申请公布日期	1994.04.28
申请号	DE19873787625T	申请日期	1987.12.09
申请人	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP., CUPERTINO, CALIF., US	发明人	KHAN, EMDADUR R., SAN JOSE CALIFORNIA 95148, US
分类号	G11C17/12;H01L21/82;H01L21/8238;H01L21/8246;H01L27/092;H01L27/112;H01L27/118;(IPC1-7):G11C17/12	主分类号	G11C17/12
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