| 发明名称 |
FORMATION METHOD OF SELF-ALIGNED SINGLE- MASK CMOS/BICMOS WELL BY PLANE TOPOGRAPHY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06112420(A) |
申请公布日期 |
1994.04.22 |
| 申请号 |
JP19930029576 |
申请日期 |
1993.01.04 |
| 申请人 |
TEXAS INSTR INC <TI> |
发明人 |
MEERUDATSUDO EMU MOSUREHI |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/266;H01L21/8238;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/092 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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