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发明名称 Herstellungsverfahren zur Ausbildung eines MOS-Transistors durch Selbstausrichtung der Source/Drain-Gebiete.
摘要
申请公布号 DE3789350(D1) 申请公布日期 1994.04.21
申请号 DE19873789350 申请日期 1987.11.05
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 KUMAGAI, JUMPEI C/O PATENT DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105, JP;SHINOZAKI, SATOSHI C/O PATENT DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105, JP
分类号 H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/02;H01L27/092;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/08 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
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