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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer gegen Überspannungen selbst-geschützten Halbleiteranordnung.
摘要
申请公布号 DE3888462(D1) 申请公布日期 1994.04.21
申请号 DE19883888462 申请日期 1988.11.18
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 TSUNODA, YOSHIAKI C/O PATENT DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105, JP;KANAYA, MASATOSHI C/O PATENT DIVISION, MINATO-KU TOKYO 105, JP
分类号 H01L29/06;H01L21/332;H01L29/74;(IPC1-7):H01L29/10;H01L29/60 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
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