| 发明名称 | 一种硅的光探测器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种紫外增强的p-n结硅光生伏特探测器的结构。它在探测器探光面的金属电极之间或(和)其四周的硅表面上布设一层多孔硅的荧光膜。该结构具有工艺过程简单易控、成本低廉、并能与现有集成电路工艺相容等诸多优点。 | ||
| 申请公布号 | CN2162712Y | 申请公布日期 | 1994.04.20 |
| 申请号 | CN93217410.8 | 申请日期 | 1993.07.02 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 夏永伟;李国花;滕学公;樊志军 |
| 分类号 | H01L31/10 | 主分类号 | H01L31/10 |
| 代理机构 | 北京林业大学专利事务所 | 代理人 | 卢纪 |
| 主权项 | 1、一种紫外增强的硅p-n结光生伏特探测器件，其特征为，在硅p-n结光生伏特探测器的探光面金属上电极之间或(和)其四周的硅表面上布设有一层多孔硅的荧光膜。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路肖庄 | ||