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发明名称 Verfahren zum Herstellen einer dynamischen RAM-Speicherzelle
摘要
申请公布号 DE4016347(C2) 申请公布日期 1994.04.14
申请号 DE19904016347 申请日期 1990.05.21
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON, KR 发明人 PARK, IN-SEON, KWANGJU, KR;CHOI, SU-HAN, KYUNGGI, KR
分类号 H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/72 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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