| 摘要 |
Il est proposé un circuit intégré monolithique, lequel est logé dans un corps semiconducteur monocristallin en silicium ayant la forme d'un disque (100) d'un premier type de conductivité présentant une première et une deuxième surface principale. Le circuit intégré monolithique contient un transistor de puissance MOSFET vertical (T1), lequel est constitué d'une pluralité de transistors partiels montés en parallèle et entouré d'une bague de protection (4) d'un deuxième type de conductivité opposé au corps semiconducteur (100). Dans la bague de protection (4) est incorporée par diffusion, depuis la première surface principale (13), au moins une zone (7, 8) du type de conductivité du corps semiconducteur (100), mais de concentration d'imperfections plus élevée, en vue de la formation d'au moins un élément de circuit périphérique actif et/ou passif (T2), lequel a une fonction de protection et/ou de régulation et/ou d'amorçage. |
