半导体器件及其形成方法

摘要

薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导体器件。

主权项

1、一种形成半导体器件的方法，包括下列各步骤：在一绝缘衬底上形成一半导体膜；在所述半导体膜上形成一透明的薄膜；用激光脉冲照射所述半导体膜；除去所述透明薄膜，使所述半导体膜的表面露出；在所述半导体膜上形成一栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成布线；以所述的布线为掩膜，按自对准方式，将离子辐射到半导体膜内；以及在所述离子辐射步骤之后，以所述布线为掩膜，用激光脉冲辐照所述半导体膜。