| 发明名称 | 漂移型非晶硅光电阴极 | ||
| 摘要 | 漂移型非晶硅光电阴极是在基片1上涂复透明导电膜2，在透明导电膜2上沉积n型和p型非晶硅膜，在P型非晶硅膜4上蒸涂铝或银膜，在铝或银膜5上复盖铯氧敏化层。本发明量子效率容易超过扩散型非晶硅光电阻极两个数量级，可用在光电倍增管，象增强管等光电器件中。 | ||
| 申请公布号 | CN1024234C | 申请公布日期 | 1994.04.13 |
| 申请号 | CN90109222.3 | 申请日期 | 1990.11.19 |
| 申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 海宇涵;陈远星;臧宝 |
| 分类号 | H01J1/34;H01J40/16 | 主分类号 | H01J1/34 |
| 代理机构 | 中国科学院专利事务所 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1.漂移型非晶硅光电阴极，有基片(1)和铯-氧敏化层(6)，其特征是在基片(1)上涂复透明导电膜(2)，在透明导电膜上沉积n型和p型非晶硅膜(3)和(4)，在P型非晶硅膜(4)上蒸涂铝或银膜(5)，在铝或银膜(5)上复盖铯一氧敏化层(6)。 | ||
| 地址 | 100080北京市中关村路17号 | ||